ভ্যানডিয়াম ডাই অক্সাইড ইলেক্ট্রনিক্সে বিপ্লব ঘটাতে পারে

ইকোল পলিটেক্নিক ফেডারেল ডি লাউসনে বিজ্ঞানীরা ভ্যানিডিয়াম ডাই অক্সাইড (ভিও 2) এ যে সমস্ত সম্পত্তি এবং সম্ভাবনা দেখেন সে সম্পর্কে তারা উত্তেজিত, যা সিলিকনকে ছাড়িয়ে যেতে পারে এবং একটি নতুন প্রজন্মের বৈদ্যুতিন পণ্যের দিকে পরিচালিত করতে পারে।

ভ্যানেডিয়াম ডাই অক্সাইড হবে নতুন প্রযুক্তিগত বিপ্লব

ইকোলে পলিটেক্নিক ফেডারেল দে লাউসনে বিজ্ঞানীরা ভেনিয়ামেড ডাই অক্সাইডের জন্য বিশেষত মহাকাশ যোগাযোগ ব্যবস্থা, নিউরোমর্ফিক কম্পিউটার এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি রাডারগুলির ক্ষেত্রে দুর্দান্ত সুযোগগুলি দেখেন। এই উপাদানটি ঘরের তাপমাত্রায় একটি অন্তরক হিসাবে আচরণ করে তবে °৮ ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড তাপমাত্রায় কন্ডাক্টর হিসাবে ves

বাজারে সেরা প্রসেসর (জানুয়ারী 2018)

এই পরিবর্তনটি ঘটে কারণ সেই তাপমাত্রায় একটি স্ফটিক থেকে ধাতব পারমাণবিক কাঠামোতে উপাদান পরিবর্তিত হয়, এটি একটি "ধাতব-নিরোধক রূপান্তর", বা সংক্ষেপে এমআইটি হিসাবে পরিচিত। এই পরিবর্তনটিকে ন্যানোসেকেন্ডের চেয়ে কম লাগে এটি ইলেক্ট্রনিক্সের জন্য একটি আকর্ষণীয় সম্পত্তি হিসাবে পরিণত করে।

এই পরিবর্তনটি খুব কম তাপমাত্রায় ইলেক্ট্রনিক্সে দরকারী হওয়ার জন্য ঘটে, তবে, ইপিএফএল গবেষকরা ভিও 2-তে জার্মেনিয়াম যুক্ত করে এটি 100 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের তাপমাত্রায় তৈরি করতে সক্ষম হয়েছেন ।

তদুপরি, ভিও 2 অন্যান্য কারণগুলির সাথেও সংবেদনশীল যা এর পর্বের পরিবর্তনকে প্ররোচিত করতে পারে, এর উদাহরণ হ'ল বৈদ্যুতিক শক্তির ইনজেকশন বা THZ বিকিরণ নাড়ি প্রয়োগ করা । গবেষণা প্রকল্পটি কমপক্ষে ২০২০ অবধি অব্যাহত থাকবে এবং ইউরোপীয় ইউনিয়নের অর্থায়নে awarded ৩.৯ মিলিয়ন ডলার পুরষ্কার পেয়েছে।

হেক্সাস হরফ