3 ডি নন্দ স্মৃতি: চীন 2017 সালে উত্পাদন শুরু করবে

ইয়াংজি রিভার স্টোরেজ টেকনোলজি (ওয়াইআরএসটি) সংস্থাটি চীনে প্রথম নতুন 3 ডি ন্যানড মেমরি তৈরি করবে । প্রথম 3D ন্যান্ড মেমরি ওয়েফার উত্পাদন 2017 সালে শুরু হবে এবং তারা 32-স্তরের মেমরি এই ধরণের উত্পাদন আশা করি।

তারা 300, 000 3D ন্যান্ড মেমরি ওয়েফার তৈরি করবে

3 ডি ন্যান্ডগুলি একই সিলিকনের মধ্যে মেমরির একাধিক স্তর ধারণ করতে সক্ষম, তাই উচ্চতর ক্ষমতা এসএসডি ড্রাইভ একই স্থানে অর্জন করা যায়। ইন্টেল-মাইক্রন বা এ-ডেটা এর মতো সংস্থাগুলির ইতিমধ্যে বাজারে এই ধরণের স্মৃতি রয়েছে। এই প্রথম কোনও চীনা প্রস্তুতকারক ন্যান্ড ফ্ল্যাশ এবং ডিআরএএম স্মৃতি তৈরি করতে শুরু করবে।

কারখানাটি সম্পন্ন করতে ওয়াইআরএসটি সংস্থার মোট বিনিয়োগের পরিমাণ 24, 000 মিলিয়ন ডলার এবং এটি ইতিমধ্যে 2018 সালে সুবিধাগুলি বিস্তৃত করার এবং 2019 সালে সম্প্রসারণের শেষ ধাপের পরিকল্পনা করা হয়েছে the এটি কেবল ওয়াইআরএসটিই নয়, অর্জন করেছিল একটি দ্বারা চীন সরকার নিজেই বিনিয়োগ এবং শীর্ষস্থানীয় অর্ধপরিবাহী সংস্থা এক্সএমসির সাথে একটি জোট। সূত্রগুলি এও ইঙ্গিত করে যে মাইক্রনের সহযোগিতায় সিংহুয়া ইউনগ্রুপের সমর্থন রয়েছে, সুতরাং এই ব্যবসায়ের সাথে জড়িত এমন কয়েক জন নেই।

ওয়াইআরএসটি প্রতি মাসে প্রায় 300, 000 ওয়েফার তৈরি করতে সক্ষম হবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা এসএসডি এবং স্মার্টফোনে ব্যবহৃত ন্যানড স্মৃতিগুলির ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে সহায়তা করবে। সংবাদটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ এটি মাঝারি মেয়াদে এই ধরণের ইউনিটের ব্যয় হ্রাস করতে সহায়তা করবে। দশক ধরে আমাদের সাথে থাকা হার্ড ড্রাইভগুলি অবসর নিতে আরও একটি পদক্ষেপ।