এনভিডিয়া নিশ্চিত করে যে পাস্কাল 16nm ফাইনফেটে পৌঁছে যাবে

এনভিডিয়া জাপানের জিটিসির সুযোগ নিয়েছে তা নিশ্চিত করার জন্য যে তার পরবর্তী জিপিইউ আর্কিটেকচার, পাস্কাল টিএসএমসি দ্বারা উত্পাদিত হবে 16nm FinFET + প্রক্রিয়ার অধীনে, কারণ এটি বেশ কয়েক মাস ধরে গুঞ্জন ছিল।

পাস্কাল নতুন জিফর্স 100 সিরিজকে জীবন দেবে যা পরের বছরের 2016 সালের শেষের দিকে প্রত্যাশিত Pas পাস্কাল নতুন এইচবিএম 2 অ্যাপলিড্ডা মেমরিটি চারটি স্ট্যাকের উপরে ছড়িয়ে থাকা সর্বাধিক 32 জিবি মাউন্ট করা সম্ভব হওয়ার সাথে উপস্থিত হবে, সর্বাধিক ব্যান্ডউইথ হবে 1 টিবি / গুলি এর 4, 096-বিট ইন্টারফেসের জন্য ধন্যবাদ। ঘরোয়া পরিবেশের জন্য লক্ষ্যযুক্ত কার্ডগুলিতে আমাদের "কেবল" 16 গিগাবাইট মেমরির "জন্য স্থির করতে হবে।

16nm FinFET + উত্পাদন প্রক্রিয়াটি ব্যবহারের ফলে Nvidia 28nm এ নির্মিত ম্যাক্সওয়েল ভিত্তিক GPU- র তুলনায় অনেক বেশি গ্রস পারফরম্যান্স এবং শক্তি দক্ষতার সাথে কার্ড সরবরাহ করতে পারবে।

সূত্র: বৈধ মতামত