র‌্যামবাস ডিডিআর 5 মেমরির বৈশিষ্ট্যগুলি নিয়ে কথা বলেছেন

কিছু দিন আগে আমরা নতুন উচ্চ-পারফরম্যান্স স্ট্যাকড মেমরি টেকনোলজি এইচবিএম 3 এর প্রথম বিবরণ পেয়েছি, এখন আমরা আপনাদের জন্য নতুন ডিডিআর 5 এর বিশদ বিবরণ নিয়ে আসছি যা পরবর্তী কয়েক বছর ধরে প্রসেসরের নতুন প্রজন্মের জন্য আগত হবে।

DDR5 1.2V এ 4800 মেগাহার্টজ পৌঁছে যাবে

র‌্যামবুস ভবিষ্যতের ডিডিআর 5 মেমরির প্রথম বৈশিষ্ট্য প্রকাশ করেছে যা ইতিমধ্যে তার বিকাশের মোটামুটি উন্নত পর্যায়ে রয়েছে, এই নতুন স্মৃতিগুলি প্রায় 4800 মেগাহার্টজ এর বেস ফ্রিক্যুয়েন্সি নিয়ে আসবে তাই বর্তমান ডিডিআর 4 এর তুলনায় এগুলি একটি ভাল উত্সাহ হবে, আমরা বলতে পারি যে ধীরতম ডিডিআর 5 মোটামুটি ডিডিআর 4 এর থেকে দ্রুততম হবে।

বছরগুলি ধীরে ধীরে, এই নতুন ডিডিআর 5 সমস্ত প্রজন্মের সাথে যেমন উপকারে আসবে ততই এর সিলিংটি 64৪০০ মেগাহার্টজ এর কাছাকাছি হতে পারে, যা সর্বাধিক ৫১.২ জিবি / সেকেন্ডের ব্যান্ডউইদথে অনুবাদ করে, বর্তমান ডিডিআর 4 প্রযুক্তি দিয়ে প্রাপ্ত 25.6 গিগাবাইট / গুলি দ্বিগুণ করুন।

এই সমস্ত সম্ভব করার জন্য, শক্তির দক্ষতা উন্নত করার জন্য দৃ strong ় প্রতিশ্রুতিবদ্ধ হয়েছে, ডিডিআর 5 শুধুমাত্র 1.2V এর ভোল্টেজ সহ 4800 মেগাহার্টজ পৌঁছাতে সক্ষম হবে, বর্তমান ডিডিআর 4 অর্জনের 1.5V এর তুলনায় একটি গুরুত্বপূর্ণ উন্নতি 4600 মেগাহার্টজ। পরিশেষে আমরা হাইলাইট করেছি যে প্রতিটি মডিউলের সর্বাধিক ক্ষমতা 128 গিগাবাইটে বৃদ্ধি পাবে যাতে আমরা কেবলমাত্র চারটি মডিউল ব্যবহার করে 512 জিবি কনফিগারেশন দেখতে পারি।

প্রথম ডিডিআর 5 স্মৃতিগুলি 2019 সালে 10 এনএম উত্পাদন প্রক্রিয়া সহ আগত হবে এবং তারপরে সর্বাধিক দক্ষ 7 এনএম-তে স্থানান্তরিত হবে।

টেকপাওয়ারআপ হরফ