স্যামসুং 3nm এমবিসিফেট প্রক্রিয়া ঘোষণা করেছে, 5nm 2020 এ আসবে

মোবাইল এসসির বাজারে, নতুন উত্পাদন প্রক্রিয়া নোডগুলি প্রবর্তন করার সময় টিএসএমসি দ্রুত গতিতে চলেছে। আজ, কোরিয়ান প্রযুক্তি জায়ান্ট স্যামসাং বিভিন্ন প্রক্রিয়া নোডের জন্য পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে। এর মধ্যে 5nm FinFET এবং 3nm GAAFET প্রকরণ যা স্যামসাং এমবিসিএফইটি (মাল্টি-ব্রিজ-চ্যানেল-এফইটি) হিসাবে নিবন্ধিত করেছে include

স্যামসাং 3nm এমবিসিএফইটি প্রক্রিয়া ঘোষণা করেছে

আজ, সান্তা ক্লারার স্যামসাং ফাউন্ড্রি ফোরামে, সংস্থাটি তার পরবর্তী প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াটির জন্য পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে। বড় ঘোষণাটি স্যামসাংয়ের 3nm জিএএ উন্নয়নের জন্য, সংস্থাটি 3 জিএই ডাব করেছে। স্যামসুং নিশ্চিত করেছে যে এটি গত মাসে নোডের জন্য নকশার কিট প্রকাশ করেছে।

স্যামসুং গ্যাফেট (গেট-অল- আড়াআড়ি) প্রক্রিয়া নোডের জন্য আইবিএমের সাথে সহযোগিতা করেছে, তবে আজ সংস্থাটি আগের প্রক্রিয়াটির সাথে তার অভিযোজন ঘোষণা করেছে। এটিকে এমবিসিএফইটি বলা হয় এবং সংস্থাটির মতে এটি গ্যান অল আড়াআড়ির ন্যানোয়ারকে ন্যানোসেকলে প্রতিস্থাপনের মাধ্যমে প্রতি ব্যাটারির উচ্চতর প্রবাহের অনুমতি দেয়। প্রতিস্থাপনটি ড্রাইভিংয়ের ক্ষেত্রকে বাড়িয়ে তোলে এবং পাশের পায়ের ছাপ না বাড়িয়ে আরও বেশি দরজা যুক্ত করার অনুমতি দেয়। খুব প্রযুক্তিগত ডেটা, তবে এমন একটি ফলাফল যা ফিনফেটের বিকাশে ব্যাপকভাবে উন্নতি করতে পারে।

স্যামসাংয়ের 5nm ফিনফেট প্রক্রিয়াটির জন্য পণ্য নকশা, যা এপ্রিল মাসে বিকশিত হয়েছিল, আশা করা হচ্ছে এটি বছরের দ্বিতীয়ার্ধে শেষ হবে এবং 2020 এর প্রথমার্ধে ব্যাপক উত্পাদন করা হবে।

এই বছরের দ্বিতীয়ার্ধে, স্যামসাং 6nm প্রক্রিয়া ডিভাইসগুলির ব্যাপক উত্পাদন এবং 4nm প্রক্রিয়াটির সম্পূর্ণ বিকাশ শুরু করার পরিকল্পনা করেছে। স্যামসাংয়ের 5nm ফিনফেট প্রক্রিয়াটির জন্য পণ্য নকশা, যা এপ্রিল মাসে তৈরি হয়েছিল, আশা করা হচ্ছে এটি বছরের দ্বিতীয়ার্ধে শেষ হবে এবং 2020 এর প্রথমার্ধে ভর উত্পাদন করা হবে।

Wccftechguru3d হরফ