স্যামসুং তার নতুন স্মৃতি ঘোষণা করেছে v

এসএসডি স্টোরেজ প্রযুক্তিটি বিশাল ধাপে উন্নতি অব্যাহত রেখেছে এবং ভি-ন্যানডের পঞ্চম প্রজন্মের ঘোষণা করে স্যামসাং উদ্ভাবনের অগ্রভাগে রয়েছে, যা তুলনামূলকভাবে কয়েকটি অন্যান্য ডিজাইনের পরিবর্তনের সাথে স্তরগুলির সংখ্যা বাড়িয়ে 96 এ উন্নীত করবে। পঞ্চম প্রজন্মের মধ্যে স্যামসাংয়ের প্রথম কিউএলসি ন্যান্ড ফ্ল্যাশ (প্রতি সেল প্রতি চার বিট) অন্তর্ভুক্ত থাকবে, যার সাথে মরতে 1TB (128 গিগাবাইট) ক্ষমতা থাকবে।

96-স্তর ভি-ন্যান্ড স্মৃতি: আরও সঞ্চয়স্থান, স্থায়িত্ব এবং কম খরচ

গত বছর, স্যামসুং একটি 64৪-স্তর নকশা সহ চতুর্থ প্রজন্মের থ্রিডি ন্যানডের ঘোষণা করেছিল। ভি-ন্যান্ডের এই চতুর্থ প্রজন্মটি এখন উত্পাদনে রয়েছে এবং আগামী মাসগুলিতে অনেক পণ্য ব্যবহৃত হবে। বেশিরভাগ পণ্য 256GB বা 512GB টিএলসি অ্যারে ব্যবহার করবে। তৃতীয় প্রজন্মের 48-স্তর V-NAND এর সাথে তুলনা করে, 64-স্তর V-NAND একই পঠন কার্যকারিতা সরবরাহ করে, তবে প্রায় 11% উচ্চতর রচনা সম্পাদনা করে।

বিদ্যুৎ ব্যবহারে 'উল্লেখযোগ্যভাবে' উন্নতি করা হয়েছে, পাঠ্য ক্রিয়াকলাপের জন্য বর্তমানের প্রয়োজনীয়তা 12% হ্রাস পেয়েছে এবং একটি প্রোগ্রামের ক্রিয়াকলাপের জন্য প্রয়োজনীয় বিদ্যুৎ খরচ 25% হ্রাস পেয়েছে। স্যামসুং দাবি করেছে যে একটি টিএলসি কনফিগারেশনে এর 64৪-স্তরের ভি-ন্যান্ড 7, ০০০ থেকে শুরু করে ২০, ০০০ প্রোগ্রাম / চক্র মুছে ফেলতে পারে, সুতরাং নতুন এই 96৯-স্তরীয় মেমরির সাথে ইউনিটগুলির দীর্ঘকালীন জীবনকাল থাকবে।

পূর্ববর্তী ভি-ন্যান্ড প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে স্যামসুংয়ের ঘোষিত এসএসডিগুলিতে একটি 2.5 2.5 128TB কিউএলসি-ভিত্তিক এসএএস এসএসডি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। এই ইউনিটের জন্য, স্যামসুং প্রতিটি বিজিএ ডিভাইসে মোট 4 টিবি জন্য, প্যাকেজ প্রতি 32 ম্যাট্রিক্স স্ট্যাক করবে।

চৌম্বকীয় স্টোরেজ ড্রাইভগুলি অবসর নেওয়ার জন্য অদূর ভবিষ্যতে এটি একটি নতুন পদক্ষেপ।

সূত্র: আনন্দদেক ch