স্যামসুং নতুন এসএসডি ভি ড্রাইভ চালু করেছে

স্যামসুং ঘোষণা করেছে যে উচ্চতর পারফরম্যান্স এবং বিদ্যুত ব্যবহারের নিম্ন স্তরের সাথে একটি নতুন অনুকূল নকশা সরবরাহ করে, এটি তার ষষ্ঠ প্রজন্মের ভি-ন্যান্ড মেমরি মডিউলগুলির সাথে নতুন 250GB এসএসডি উত্পাদন শুরু করেছে।

স্যামসুং নতুন ভি-ন্যান্ড এসএসডি চালু করেছে

যদিও 250 গিগাবাইটের সাটা এসএসডি আজকের মানগুলির দ্বারা এতটা চিত্তাকর্ষক নয়, স্যামসাংয়ের ষষ্ঠ প্রজন্মের ভি- ন্যানড 450 এরও কম মাইক্রোসেকেন্ডের বিলম্ব এবং 45 টিরও কম মাইক্রোসেকেন্ডের রিডিং সহ ভবিষ্যতের নতুন স্যামসাং এসএসডিগুলির দ্বার উন্মুক্ত করে । এটি প্রচ্ছন্নতায় 10% হ্রাস প্রতিনিধিত্ব করে, ফলে প্রতিক্রিয়া এবং কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি পেয়েছে। তদতিরিক্ত, শক্তি খরচ 15% হ্রাস পেয়েছে।

সংস্থার নতুন ১৩6-স্তর ভি-ন্যানডের সাথে, স্যামসুং তার পূর্ববর্তী 96-স্তরীয় ডিজাইনের চেয়ে 40% বেশি সেল সরবরাহ করে, ফলস্বরূপ প্রতি ইউনিট ম্যাট্রিক্সে উচ্চ স্টোরেজ সক্ষমতা তৈরি করে।

বাজারের সেরা এসএসডি সম্পর্কে আমাদের গাইড দেখুন

256 জিবি চিপগুলির সাথে তুলনা করার সময়, স্যামসুংয়ের নতুন ন্যানডের জন্য আগের তুলনায় অনেক কম চ্যানেল গর্ত প্রয়োজন, 930 মিলিয়ন থেকে কমে 670 মিলিয়ন হয়ে যায়, ফলে ম্যাট্রিক্সের আকার এবং উত্পাদন জটিলতা হ্রাস পায়। স্যামসুং দাবি করেছে যে এটি উত্পাদনশীলতায় 20% বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। ম্যাট্রিক্সে উত্পাদনশীলতার এই বৃদ্ধি স্যামসাংকে তার উত্পাদন ব্যয় হ্রাস করতে দেবে, যা ন্যানডের দাম হ্রাসের কারণে কোম্পানির জন্য বড় খবর।

এই বছরের শেষদিকে, স্যামসুং তার ষষ্ঠ প্রজন্মের প্রযুক্তি ব্যবহার করে বৃহত্তর 512 জিবি ভি-নান্দ টিএলসি তৈরি করার পরিকল্পনা করেছে, যা বৃহত্তর এসএসডি এবং উচ্চ-কর্মক্ষমতা শক্ত-স্টোরেজ ডিভাইস তৈরি করতে সক্ষম করবে।

ওভারক্লক 3 ডি ফন্ট