স্যামসুং ইতিমধ্যে 8 গিগাবাইট থেকে 2.4 জিবিপিএস পর্যন্ত এইচবিএম 2 স্মৃতি তৈরি করে

স্যামসুং উচ্চ-ব্যান্ডউইথ স্ট্যাকড মেমরি প্রযুক্তিতে একটি বড় নতুন পদক্ষেপ নিয়েছে, যা এইচবিএম হিসাবে বেশি পরিচিত। কোরিয়ান সংস্থাটি ইতিমধ্যে ২.৪ জিবিপিএস গতিতে ৮ গিগাবাইটের ক্ষমতা সহ দ্বিতীয় প্রজন্মের এইচবিএম 2 মেমরি স্ট্যাকের ব্যাপক উত্পাদন শুরু করেছে।

স্যামসুং দ্বিতীয় প্রজন্মের এইচবিএম 2 উত্পাদন শুরু করে

স্যামসুং জানিয়েছে যে তারা এর দ্বিতীয় প্রজন্মের এইচবিএম 2 মেমরি চিপগুলি ইতিমধ্যে ব্যাপক উত্পাদন শুরু করেছে, এগুলি স্ট্যাকের প্রতি 8 জিবি ধারণ ক্ষমতা এবং 2.4 জিবিপিএসের কার্যকর অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সিটির দক্ষতাগুলিকে ত্বরান্বিত করার জন্য এসেছে পরবর্তী প্রজন্মের জিপিইউ-ভিত্তিক সুপারকম্পিউটিং।

স্ট্রেটিক্স 10 এমএক্স এফপিজিএ হ'ল এইচবিএম 2 মেমরির সাথে ইন্টেলের প্রথম এইচপিসি প্রসেসর

এই নতুন দ্বিতীয় প্রজন্মের এইচবিএম 2 মেমরিটি 1.2V এর ভোল্টেজের সাথে কাজ করে, একই ভোল্টেজ ব্যবহারকারী প্রথম প্রজন্মের এইচবিএম 2 এর তুলনায় আরও বেশি শক্তির দক্ষতার জন্য অনুমতি দেয়, তবে কেবল 1.6 জিবিপিএসের হারে পৌঁছেছিল। এর জন্য ধন্যবাদ, এই নতুন মেমরির একক স্ট্যাক 307 জিবি / স ব্যান্ডউইদথ অর্জন করেছে, যা জিডিডিআর 5 মেমরির চেয়ে প্রায় দশগুণ বেশি যা বাজারের প্রায় সমস্ত গ্রাফিক্স কার্ডগুলিতে ব্যবহৃত হয়েছে।

এটি সম্ভব করার জন্য, টিএসভি (মাধ্যমে সিলিকন ভায়া) প্রযুক্তিটি মরণপ্রতি 5000 টিরও বেশি সংযোগ তৈরি করতে ব্যবহার করা হয়েছে, এটি এমন একটি ছোট প্যাকেজে সফলভাবে অর্জন করা সহজ ছিল না এবং এটি স্যামসাংয়ের নেতৃত্বের প্রমাণ দেয়।

এইভাবে স্যামসুং 1.2 টিবি / সেকেন্ড অবধি মেমরির ব্যান্ডউইথ সহ একটি নতুন প্রজন্মের গ্রাফিক্স কার্ডের সম্ভাবনা তৈরি করে, যা এর ক্ষমতাগুলিকে ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি করবে। আপাতত, গেমিং কার্ডগুলি এই নতুন প্রযুক্তিটি ব্যবহার করবে বলে আশা করা যায় না, তাদের জন্য জিডিডিআর 6 অপেক্ষা করছে।

টেকপাওয়ারআপ হরফ