এসইচ হ্যানিক্স তার নতুন 8 জিবি ddr4 মেমরি 1ynm এ তৈরির ঘোষণা করেছে in

মেমোরি জায়ান্ট এসকে হ্যানিক্স তার 8 জিবি 1Ynm DDR4 DRAM মেমরির বিকাশের ঘোষণা করেছে, যার অর্থ এটি 14nm এবং 16nm লিথোগ্রাফি ব্যবহার করে তৈরি করা যেতে পারে। নতুন চিপটি তার আগের প্রজন্মের 1Xnm অংশের তুলনায় উত্পাদনশীলতায় 20% উন্নতি এবং বিদ্যুৎ ব্যবহারে 15% এরও বেশি উন্নতি প্রস্তাব করে।

নতুন এসকে হাইনিক্স 1Ynm 8Gb DDR4 র‌্যাম

নতুন এস কে হাইনিক্স 8 জিবি 1 ইএনএম ডিডিআর 4 ডিআরএএম 3, 200 এমবিপিএসের ডেটা ট্রান্সফার রেটকে সমর্থন করে, যা সংস্থা জানিয়েছে যে ডিডিআর 4 ইন্টারফেসে ডেটা প্রসেসিংয়ের দ্রুততম গতি। এস কে হাইনিক্স একটি '4-ফেজ সময় নির্ধারণ' প্রকল্প গ্রহণ করেছে যা ডেটা স্থানান্তরের গতি এবং স্থিতিশীলতা বাড়ানোর জন্য ক্লক সংকেতটিকে সদৃশ করে।

আমরা আপনাকে হিট সিঙ্ক সহ বা হিট সিঙ্ক ছাড়াই র‌্যাম স্মৃতি সম্পর্কিত আমাদের নিবন্ধটি পড়ার পরামর্শ দিই

এস কে হাইনিক্স বিদ্যুৎ ব্যবহার এবং ডেটা ত্রুটি কমাতে তার অভ্যন্তরীণ বিকাশযুক্ত " সেন্স অ্যাম্প কন্ট্রোল " প্রযুক্তিও চালু করেছিল। এই প্রযুক্তির সাহায্যে সংস্থাটি সংবেদক পরিবর্ধকের কার্যকারিতা উন্নত করতে সক্ষম হয়েছিল। ডেটা ত্রুটি হওয়ার সম্ভাবনা কমাতে এসকে হাইনিক্স ট্রানজিস্টারের কাঠামো উন্নত করেছিলেন, এটি একটি চ্যালেঞ্জ যা প্রযুক্তির হ্রাসের সাথে রয়েছে । অপ্রয়োজনীয় শক্তি খরচ এড়াতে সংস্থাটি সার্কিটটিতে স্বল্প-বিদ্যুতের সরবরাহও যুক্ত করেছিল।

এস কে হাইনিক্সের ভাইস প্রেসিডেন্ট শন কিমের কথায় এই 1 জিএন এবং 8 জিবি ডিডিআর 4 ডিআরএএম কোম্পানির গ্রাহকদের জন্য অনুকূল কর্মক্ষমতা এবং ঘনত্ব রয়েছে । এস কে হাইনিক্স বাজারের চাহিদার সক্রিয়ভাবে প্রতিক্রিয়া জানাতে আগামী বছরের প্রথম প্রান্তিক থেকে শিপিং শুরু করার পরিকল্পনা করেছে। এস কে হাইনিক্স তার 1Ynm প্রযুক্তি প্রক্রিয়া সার্ভার এবং পিসিগুলির জন্য এবং তারপরে অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে যেমন মোবাইল ডিভাইসগুলিতে দেওয়ার পরিকল্পনা করে।

গুরু 3 ডি ফন্ট