ইউএসইউ ব্যবহার করে টিএসএমসি তার প্রথম সফল পদক্ষেপ নেয়

অর্ধপরিবাহী উত্পাদন এবং 7 ন্যানোমিটার উত্পাদন সর্বাগ্রে শীর্ষস্থানীয় টিএসএমসি সবেমাত্র ঘোষণা করেছে যে এটি ENV (চূড়ান্ত অতিবেগুনী লিথোগ্রাফি) ব্যবহার করে তার দ্বিতীয় প্রজন্মের 7nm "N7 +" প্রযুক্তি নিয়ে অগ্রগতি করছে ।

টিএসএমসি ইতিমধ্যে ইইউভি প্রযুক্তির সাথে সফলভাবে কাজ করে এবং 2019 এর জন্য 5nm লক্ষ্য করে

টিএসএমসি ইতিমধ্যে অজানা ক্লায়েন্টের কাছ থেকে প্রথম এন 7 + ডিজাইন সফলভাবে খোদাই করেছে । যদিও এখনও পুরোপুরি EUV নয়, এন 7 + প্রক্রিয়াটি চারটি অ-সমালোচিত স্তর পর্যন্ত EUV এর সীমাবদ্ধ ব্যবহার দেখতে পাবে, সংস্থাটিকে এই নতুন প্রযুক্তির সর্বোত্তম ব্যবহার কীভাবে করা যায়, কীভাবে উত্পাদন বাড়ানো যায় তা আবিষ্কার করার সুযোগ দেয় ভর, এবং কীভাবে আপনি ল্যাব থেকে কারখানায় চলে আসার সাথে সাথে উপস্থিত হওয়া সামান্য সমস্যাগুলি ঠিক করবেন।

আমরা ইন্টেলের 10 এনএম থেকে সুসংবাদে আমাদের পোস্টটি পড়ার পরামর্শ দিই , সংস্থার শেয়ার বাড়ছে

নতুন প্রযুক্তিটি 6 থেকে 12% কম খরচ এবং 20% উন্নত ঘনত্বের মধ্যে উত্পন্ন করবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা স্মার্টফোনের মতো আরও সীমিত ডিভাইসের জন্য বিশেষত গুরুত্বপূর্ণ হতে পারে। 7 ন্যানোমিটার ছাড়িয়ে, টিএসএমসি লক্ষ্য 5nm, অভ্যন্তরীণভাবে "এন 5" নামে পরিচিত। এই প্রক্রিয়াটি 14 টি স্তর পর্যন্ত ইইউভি ব্যবহার করবে এবং 2019 সালের এপ্রিলে ভর উত্পাদনের জন্য প্রস্তুত হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

টিএসএমসির মতে, এর অনেকগুলি আইপি ব্লক পিসিআই জেনারেল 4 এবং ইউএসবি 3.1 ব্যতীত এন 5 রেডি রয়েছে । N7 ডিজাইনের তুলনায়, যার দেড় মিলিয়ন রেঞ্জের প্রাথমিক ব্যয় রয়েছে, এন 5 এর জন্য ব্যয় আরও বেড়ে 250 মিলিয়ন হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

এই তথ্যগুলি প্রমাণ করে যে উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিতে অগ্রগতি ক্রমবর্ধমান কঠিন এবং ব্যয়বহুল, আরও কিছু না এগিয়ে, গ্লোবালফাউন্ড্রি সম্প্রতি ঘোষণা করেছে যে এটি অনির্দিষ্টকালের জন্য 7 এনএম এ তার প্রক্রিয়াটিকে পঙ্গু করে দিচ্ছে।

টেকপাওয়ারআপ হরফ