স্যামসুং তার দ্বিতীয় প্রজন্মের 10nm ড্রামের ব্যাপক উত্পাদন শুরু করে

সন্দেহ নেই যে স্যামসুং বিশ্বের অন্যতম সেরা উত্পাদনকারী এবং ডিএনএএম মেমোরির অন্যতম প্রস্তুতকারক, এখন দক্ষিণ কোরিয়ান তার দ্বিতীয় প্রজন্মের ডিআরএএম-এর 10nm -র ভর উত্পাদন শুরু করে একটি নতুন পদক্ষেপ নিয়েছে।

স্যামসুং এর দ্বিতীয় 10nm প্রজন্মের সাথে ইতিমধ্যে DRAM ভর-উত্পাদন করে

স্যামসুংয়ের রাষ্ট্রপতি জ্যোইং জিন ঘোষণা করেছেন যে সংস্থাটি এরই মধ্যে 10nm প্রক্রিয়াটির দ্বিতীয় প্রজন্মকে ব্যবহার করে নতুন ডিআরএএম মেমরি চিপগুলির ব্যাপক উত্পাদন শুরু করেছে । এই নতুন প্রযুক্তি 10nm আগের উত্পাদন প্রক্রিয়ার তুলনায় উত্পাদনশীলতা 30% বৃদ্ধি করবে, একই সময়ে, কর্মক্ষমতা 10% বৃদ্ধি পাবে এবং শক্তি দক্ষতা 15% বৃদ্ধি পাবে।

ডিএমআরএস মেমরির বৈশিষ্ট্যগুলি সম্পর্কে র‌্যামবুস আলোচনা করে

এই উন্নতিগুলি অর্জনের জন্য, EUV প্রযুক্তি ব্যবহার করা হয়নি, তবে স্যামসাংয়ের মালিকানাধীন ডিজাইনের কৌশলগুলি প্রয়োগ করা হয়েছে । সংস্থাটি দাবি করেছে যে " এয়ার স্পারারস " পরজীবী ক্যাপাসিটেশন হ্রাস করতে ব্যবহৃত হয়েছে, যা মেমরি কোষগুলির কর্মক্ষমতা বাড়ানোর জন্য প্রয়োজনীয় শক্তির অতিরিক্ত ব্যবহার হ্রাস করে।

স্যামসাংয়ের নতুন দ্বিতীয় প্রজন্মের 10nm ডিআরএএম 3, 600 এমবিপিএস-এ কাজ করতে পারে, বর্তমান মেমরির যে 3, 200 এমবিপিএসের তুলনায় যথেষ্ট উন্নতি করে। স্যামসাংয়ের পরবর্তী প্রজন্মের ডিডিআর 4 মেমরিটি কম চরম আইসি পুলিং প্রক্রিয়া সহ উচ্চ-গতির মেমরি কিট উত্পাদন সক্ষম করবে, যার ফলে উচ্চ গতির ডিডিআর 4 মেমরির দাম হ্রাস পাবে।

এই নতুন কৌশলটি ডিডিআর 4 এর সাথে একচেটিয়া নয় তবে ভবিষ্যতে ডিআআরএম মেমরি স্ট্যান্ডার্ড যেমন এইচবিএম 3, ডিডিআর 5, জিডিডিআর 6 এবং এলপিডিডিআর 5 তে ব্যবহৃত হবে । স্যামসুং ইতিমধ্যে যত তাড়াতাড়ি সম্ভব এই নতুন ধরণের স্মৃতি বাজারে আনতে কঠোর পরিশ্রম করছে এবং এইভাবে খাতটিতে তার নেতৃত্বকে আরও শক্তিশালী করবে।

ওভারক্লক 3 ডি ফন্ট