স্যামসুং 10nm ddr4 মেমরির ব্যাপক উত্পাদন নিশ্চিত করেছে

স্যামসুং 8 গিগাগিটের ঘনত্বের সাথে এবং এর উন্নত দ্বিতীয় প্রজন্মের 10nm ফিনফেট প্রক্রিয়া সহ ডিডিআর 4 ডিআরএএম মেমরির ব্যাপক উত্পাদন শুরু করার বিষয়টি নিশ্চিত করেছে, যা নতুন দক্ষতার দক্ষতা এবং কার্য সম্পাদন করবে।

স্যামসুং তার দ্বিতীয় প্রজন্মের 10nm DDR4 মেমরির কথা বলে

স্যামসাংয়ের নতুন 10nm এবং 8 জিবি ডিডিআর 4 মেমরিটি আগের 10n প্রজন্মের তুলনায় 30 শতাংশ বেশি উত্পাদনশীলতা সরবরাহ করে, প্লাস এতে 10 শতাংশ বেশি কর্মক্ষমতা এবং 15 শতাংশ বেশি শক্তি দক্ষতা রয়েছে, ধন্যবাদ উন্নত পেটেন্ট সার্কিট ডিজাইন প্রযুক্তি ব্যবহার করে।

নতুন ডেটা সনাক্তকরণ সিস্টেম প্রতিটি কক্ষে সংরক্ষিত তথ্যের আরও নিখুঁত সংকল্পকে সক্ষম করে, যা সম্ভবত সার্কিট ইন্টিগ্রেশন এবং উত্পাদন উত্পাদনশীলতার স্তরে যথেষ্ট বৃদ্ধি পায়। 10nm মেমরির এই দ্বিতীয় প্রজন্মের বিট লাইনের চারপাশে একটি এয়ার স্পেসার ব্যবহার করে বিপথগামী ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করতে, এটি কেবলমাত্র উচ্চতর স্তরের স্কেলিংকেই নয়, দ্রুত কোষের অপারেশনকেও সহায়তা করে।

“ডিআরএএম সার্কিটগুলির নকশা ও প্রক্রিয়ায় উদ্ভাবনী প্রযুক্তি বিকাশের মাধ্যমে আমরা ডিআরএএম-এর স্কেলিবিলিটিতে যে এক দুর্দান্ত বাধা হয়ে দাঁড়িয়েছে তা কাটিয়ে উঠলাম। দ্বিতীয় প্রজন্মের 10nm শ্রেনী ডিআরএএম, আমরা আমাদের সামগ্রিক 10nm ডিআরএএম উত্পাদন আরও আগ্রাসীভাবে প্রসারিত করব, বাজারের দৃ demand় চাহিদা মেটানোর জন্য এবং আমাদের বাণিজ্যিক প্রতিযোগিতাকে শক্তিশালীকরণ অব্যাহত রাখব।"

“এই অর্জনগুলি সক্ষম করতে আমরা EUV প্রক্রিয়া ব্যবহার না করেই নতুন প্রযুক্তি প্রয়োগ করেছি। এখানে উদ্ভাবনের মধ্যে একটি অত্যন্ত সংবেদনশীল সেল ডেটা সনাক্তকরণ সিস্টেম এবং একটি প্রগতিশীল 'এয়ার স্পেসারস' স্কিম ব্যবহার অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।

ফুডজিলা ফন্ট